毕业设计我帮你

对低频大功率管BVceo击穿特性曲线异常的分析

摘要

低频大功率管的C—E结反向击穿电压BVCEO是一项重要的直流参数，在使用前通常对器件的BVceo参数进行严格的测试筛造。产生特性曲线异常现象的原因是什么?在器件生产过程中如何控制？一直是各器件生产厂商不断探索的问题。

关键词：大功率晶体管，掺杂浓度，温度特性，电流容量，结构设计。

1 引言

大功率晶体管区别于小功率晶体管的最大工作特点就是在大的耗散功率或输出功率条件下工作(即在大功率或高电压)。因此，大功率晶体管除了在大电流下保证足够的放大能力和承受较高的集电极电压外，还必须有良好的散热能力。

 

目录

1 引言 1

2 低频大功率管BVceo的测试方法 1

2.1 测试原理 1

3 分析影响低频大功率管性能的因素 1

3.1基区表面杂质浓度分布对器件发射极-集电极电压负阻特性的影响 1

3.1.1负阻现象的发现 1

3.1.2 负阻击穿： 2

3.1.3 基区表面杂质浓度分布对电流放大系数的影响 3

3.1.4 电流放大系数对负阻特性的影响 4

3.1.5 减小负阻的措施 4

3.2 硅低频大功率管集电结穿负阻特性的分析 5

3.2.1 集电结反向击穿实验 5

3.2.2 基区涂层铝扩散 6

3.2.3 试验与分析 9

4 对几种BVceo击穿特性异常现象的分析 9

4.1基区微小穿通引起的软击穿特性 9

4.2 击穿蠕变 10

4.3 分段击穿 11

4.4 击穿特性呈环状 11

4.5 负阻特性 12

4.6 “鼓泡”(或“双线”)型击穿 12

5 快速热处理对重掺杂硅片中氧沉淀的影响 14

5.1 硅中的氧沉淀 14

5.2 氧沉淀的形核长大 15

5.3 热处理对氧沉淀的影响 15

5.4 传统的吸杂技术 16

6 实验分析㈠ 16

6.1样品制备 16

6.2主要实验设备 17

6.2.1快速热处理(RTP)炉 17

6.2.2金相显微镜 17

6.2.3常规热处理炉 17

6.3缺陷腐蚀 17

7 实验分析㈡ 18

7.1 实验过程 18

7.2 实验结果和讨论 19

7.2.1快速热处理温度对重掺杂硅片中氧沉淀的影响 19

7.2.2分析和讨论 20

7.2.3小结 22

8 附录 23

9 参考文献24

 

参考文献

[1]厦门大学物理系半导体物理教研室，半导体器件工艺原理，人民教育出版社，1979

[2]林昭炯，韩汝琦，晶体管原理与设计，科学出版社，1979

[3]郭维廉，半导体技术，1979

[4]韩重光，陆静琦，半导体技术，1979

[5]郭维廉，硅--二氧化硅界面物理，国防工业出版社，1982

[6]韩志本，电子测量技术，江苏科学技术出版社，1983

[7]J.Monkowski，Solid State Tech，1979

[8]刘秀喜，采用SiO2--Si系扩镓提高扩散质量和器件性能的研究，半导体学报，1995

[9]梁鹿孝，半导体器件表面氧化技术，北京科技出版社，1979

[10]张屏英，晶体管原理，上海科技出版社，1985